解説　

別ユニット構造によって回路間の干渉を抑えたハイレベル用・プリアンプ。

FET10/hlではハイレベル信号のコントロールとルーティングを行うことができます。
電源ユニットを独立構造とし、さらにフォノイコライザーアンプも別売とすることで回路間の相互干渉を排除しています。

ゲインステージはMOS-FETのカスコード接続で電圧変動を抑えており、500Ω以下の負荷インピーダンスをドライブしても低歪率に抑えています。

ブラックとシルバーの2色のバリエーションがありました。

機種の定格

型式	コントロールアンプ
周波数特性	1.5Hz～125kHz -3dB
全高調波歪率	0.01%以下(3V RMS、20Hz～20kHz、10kΩ)
クロストーク	-70dB以下(20kHz、1kΩ)
S/N比	-110dBA以下
入力インピーダンス	25kΩ
出力インピーダンス	100kΩ
ゲイン	+20dB
電源	AC100V、50Hz/60Hz
外形寸法	本体:幅483x高さ44.5x奥行165mm 電源部:幅130x高さ44.5x奥行153mm
重量	本体:2kg 電源部:1.13kg