オーディオの足跡

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FET9の画像
 解説 

カートリッジ・ゲイン部とハイレベル・コントロール部を一体化したコントロールアンプ。

電源ユニットは外付け構成となっており、コンパクト化とともに高能率・高性能を両立させています。

ゲイン・ステージは全てピュア・クラスA動作となっています。
また、MC/MM部はシングルステージ構成となっています。

ハイレベル部にはMOS-FETの動作直線性を最適レベルに維持するカスコード回路を採用しています。

回路パーツやコネクター、フロントパネルの金具には金メッキが施されています。

抵抗には全て高精度メタル・フィルム/巻線タイプを使用し、信号経路のコンデンサーにはオーディオ用に特に選ばれたフィルム/シルバーマイカ型を採用しています。

ブラックとシルバーの2色のカラーバリエーションがありました。

機種の定格
型式 コントロールアンプ
周波数特性 1.5Hz~125kHz -3dB
全高調波歪率
High Level:
Phono:
0.02%以下(3V RMS、20Hz~20kHz、10kΩ
0.02%以下(1V定格出力時)
クロストーク
High Level:
Phono:
-75dB以下(20kHz、1kΩ)
-70dB以下(20kHz、1kΩ)
S/N比
High Level:
Phono:
-100dBA以下(1V入力時)
-80dBA以下(1kHz、1mV入力時)
入力
High Level
Phono
入力インピーダンス:
入力インピーダンス:
負荷容量:
ゲイン切替:
25kΩ
22Ω~47kΩ(可変)
50pF~1,000pF(可変)
40dB or 60dB
出力 出力インピーダンス:100Ω
ゲイン +20dB
電源 AC100V、50Hz/60Hz
外形寸法 本体:幅483x高さ44.5x奥行165mm
電源部:幅130x高さ44.5x奥行153mm
重量 本体:2kg
電源部:1.13kg