Threshold FET nine
価格不明(1986年発売)
解説
カートリッジ・ゲイン部とハイレベル・コントロール部を一体化したコントロールアンプ。
電源ユニットは外付け構成となっており、コンパクト化とともに高能率・高性能を両立させています。
ゲイン・ステージは全てピュア・クラスA動作となっています。
また、MC/MM部はシングルステージ構成となっています。
ハイレベル部にはMOS-FETの動作直線性を最適レベルに維持するカスコード回路を採用しています。
回路パーツやコネクター、フロントパネルの金具には金メッキが施されています。
抵抗には全て高精度メタル・フィルム/巻線タイプを使用し、信号経路のコンデンサーにはオーディオ用に特に選ばれたフィルム/シルバーマイカ型を採用しています。
ブラックとシルバーの2色のカラーバリエーションがありました。
機種の定格
型式 |
コントロールアンプ |
周波数特性 |
1.5Hz~125kHz -3dB |
全高調波歪率 |
High Level:
Phono: |
0.02%以下(3V RMS、20Hz~20kHz、10kΩ
0.02%以下(1V定格出力時) |
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クロストーク |
High Level:
Phono: |
-75dB以下(20kHz、1kΩ)
-70dB以下(20kHz、1kΩ) |
|
S/N比 |
High Level:
Phono: |
-100dBA以下(1V入力時)
-80dBA以下(1kHz、1mV入力時) |
|
入力 |
High Level
Phono |
入力インピーダンス:
入力インピーダンス:
負荷容量:
ゲイン切替: |
25kΩ
22Ω~47kΩ(可変)
50pF~1,000pF(可変)
40dB or 60dB |
|
出力 |
出力インピーダンス:100Ω |
ゲイン |
+20dB |
電源 |
AC100V、50Hz/60Hz |
外形寸法 |
本体:幅483x高さ44.5x奥行165mm
電源部:幅130x高さ44.5x奥行153mm |
重量 |
本体:2kg
電源部:1.13kg |