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 解説 

基本的な構成を充分に練り上げ、さらにV-FETを採用した最高級DCプリメインアンプ。

プリアンプ部からパワーアンプ部まで、全てDCアンプ構成を採用しており、直流域までの忠実な増幅と、低域での位相回転を防いでいます。
また、このDCアンプを生かすため、Phono入力をはじめ入力コンデンサーも全て排除したダイレクトカップリング方式となっています。

パワーアンプ初段は、デュアルFETを用いたカスコード接続の差動増幅で、カレントミラー回路によって出力を取り出しています。また、電力増幅段は集団にパルス応答の優れたV-FETと高周波トランジスタとのカスコード接続パラレルプッシュプル・ピュアコンプリメンタリーSEPP-OCL回路を採用しており、V-FETを最大限に生かす回路構成としています。

電源部は各ブロックの電源を独立させた3トランス方式を採用しています。
パワーアンプ電力増幅段用電源は左右チャンネルの相互干渉を避けるため、トロイダルトランスを左右専用化して採用しています。
また、パワーアンプA級増幅段とプリアンプ部用に専用トランスを使用しており、平滑用コンデンサーは15,000μFを両チャンネル合わせて4本で計60,000μF搭載。さらにFETバッファ電源を採用することで徹底した低クロストーク化を図っています。

Phono入力は、デュアルFETによるカレントミラー差動アンプへダイレクトカップリングしています。
また、NF回路はRIAA帰還回路とは別にFETによるDC帰還回路を採用し、動作点の安定化を図っています。

フラットアンプはダイレクトカップリング入力の初段FET差動増幅による2段直結DCアンプ構成となっています。

ターンオーバー周波数切替え可能のCR型トーンコントロールを搭載しています。
トーンアンプはダイレクトカップリング入力の初段FET2段直結回路となっています。

Phono入力切り替え、スピーカー切替えにはリレーを採用しています。

ボリュームコントロールは32ステップのディテント型を採用しています。

機種の定格
型式 プリメインアンプ
実効出力(両ch、8Ω) 80W+80W(1kHz)
70W+70W(20Hz~20kHz)
出力帯域幅(IHF、8Ω) 5Hz~40kHz
高調波歪率 0.015%以下(20Hz~20kHz、実効出力時)
混変調歪率(実効出力時) 0.015%以下
ダンピングファクター 60以上(1kHz、8Ω)
Phono入力感度 2.5mV(2系統)
Phono最大許容入力(1kHz) 250mV
トーンコントロール
Bass: 30Hz±10dB(150Hz)
60Hz±10dB(300Hz)
Treble: 20kHz±10dB(4kHz)
40kHz±10dB(8kHz)
フィルター Low:12dB/oct.(30Hz以下)
High:12dB/oct.(9kHz以上)
消費電力 192W
外形寸法 幅430x高さ170x奥行420mm
重量 20kg