オーディオの足跡

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TA-F333ESAの画像
 解説 

上級機のTA-F555ESAと同様に音質を磨き上げたプリメインアンプ。

出力段には、パワーMOS FETを各チャンネルあたりパラレル・プッシュプルで2ペア、計8個のパワーMOS FETを使用しています。
MOS FET(電界効果トランジスタ)は、高周波特性が良好で、高集積化が可能というメリットから、主に小信号を扱う回路に用いられていました。また、入力抵抗が大きいため、パワー用に用いた場合、電圧増幅段(Aクラス段)と電力増幅段(Bクラス段)で電気的に分離できる特長も持っています。

無振動・無共振設計を追及するため、シャーシ構造にGシャーシを採用しています。
Gシャーシの素材は、大理石の主成分である炭酸カルシウムを不飽和ポリエステルに加え、グラスファイバーで強化して使用しています。この素材は金属に比べて内部損失が大きく、優れた振動減衰特性を持ち、さらに強度が高く高精度な加工も可能という特長を持っています。Gシャーシでは、これを音響的に検討した形状に一体成型しており、強固なシャーシ構造を実現しています。
また、非磁性・非金属性というメリットから、トランスやコンデンサーなどの磁界で誘発される電磁歪や渦電流発生が無く、音質劣化の減少にも成功しています。

ESアンプでは、Gシャーシをベースに、各パーツの実装時に一段と剛性化する構造を採用しています。また、オーディオ回路のプリント基板やパワートランスなどの主要パーツはGシャーシに直付けして強固に固定しています。さらに、フロントシャーシ、端子パネル、ケースをGシャーシの上の要所要所に連結アングルを入れて相互に補強し合うように取り付けてあります。これにより強固なシャーシ構造を実現し、不要振動による音質劣化を低減しています。

ヒートシンクにはタテ型アルミダイキャスト製のものを採用しています。

電源部にはS.T.D.電源(Spontaneous Twin Drive)を採用しています。
この電源回路では、パワーアンプ部への整流回路をAクラス段用とパワー段用に分離しており、Aクラス段とパワー段の干渉を抑える事で音質改善を図っています。

また、Aクラス段とBクラス段コンデンサーを分散配置し、Bクラス段のコンデンサーはバイブレーションプルーフプラットホームで固定しています。

ACラインからノイズ混入を防ぐESフィルターを搭載しています。

モールドコーティング電解コンデンサーや銅クラッド小型電解コンデンサーなどの高品質パーツを採用しています。

パワーアンプ部には、出力段のスイッチング歪やクロスオーバー歪を広帯域にわたり大幅に減らすS.L.L.(スーパーレガートリニア)方式を採用しています。

ローノイズFETを使用したイコライザーアンプを搭載しています。

ソースダイレクトスイッチや、インプットセレクターを経由せずに接続できるダイレクトIN端子を搭載しています。

CD、Phonoのピンジャック端子に金メッキ処理が施されています。

インプットセレクターにはマイコン制御の小型モーターによる切換えを採用しています。

ゴールドとブラックの2種類のバリエーションがありました。

ワイヤレスリモコンが付属しています。

機種の定格
型式 プリメインアンプ
実効出力(20Hz~20kHz) 140W+140W(4Ω)
120W+120W(6Ω)
100W+100W(8Ω)
出力帯域幅 10Hz~100kHz(60W出力、高調波歪率0.08%、8Ω)
高調波歪率 0.0015%(10W出力時、8Ω)
混変調歪率 0.004%(定格出力時、8Ω、60Hz:7kHz=4:1)
周波数特性 Phono MM:RIAAカーブ±0.2dB
Line系:2Hz~200kHz +0 -3dB
SN比 Phono MM:87dB
Phono MC:68dB
Line系:105dB
入力感度/インピーダンス Phono MM:2.5mV/50kΩ
Phono MC(40Ω):170μV/1kΩ
Phono MC(3Ω):170μV/100Ω
Line系:150mV/20kΩ
出力レベル/インピーダンス Rec out:150mV/1kΩ
Headphone:25mW/8Ω
トーンコントロール Bass:±7dB(100Hz)
Treble:±6dB(10kHz)
サブソニックフィルター 15Hz以下、6dB/oct
適合スピーカーインピーダンス 4Ω~16Ω
電源 AC100V、50Hz/60Hz
消費電力 260W
外形寸法 幅470x高さ165x奥行435mm
サイドウッド取外し時の幅:430mm
重量 21.3kg
付属 ワイヤレスリモコン RM-J350