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M10の画像
 解説 

音を歪める磁性体を徹底排除し、低歪・低雑音、超広帯域設計を図ったステレオパワーアンプ。

M10では、磁性体による磁気歪の影響を排除するため、アルミニウムのシャーシやボンネットを採用しています。

回路構成には新開発のFETコンプリメンタリダブル差動増幅回路を採用しており、パワーアンプ全段をコンプリメンタリープッシュプル構成とすることで、信号の立ち上がりと立下りにおいても全く同一条件となるようにしています。

スイッチング歪を追放し、A級動作波の性能とB級の高効率を併せ持つ、ノンスイッチング・サーボモジュールを採用しています。

M10には、4本の電解コンデンサーを内蔵した樹脂ケース使用の集合型コンデンサーを採用しています。
この方法は、通常の2本(正負各1本)を4本に分離することによってインダクタンス分を減少させることが可能となっており、配線を疑似4端子型にすることができて充電側と放電側に分けることができます。さらに、電解液やアルミ箔、素子構造、端子引き出し構造などのを電気面、音質面から検討し、10kHzのインピーダンスを従来の電解コンデンサーの半分以下に下げています。
また、樹脂ケースの使用によって渦電流による歪を防ぐと共に、インピーダンス特性の改善や歪の低減を図っています。

ピンジャックには金メッキが施されています。
一般的な金メッキでは、メッキを安定させて着けるため、下地にニッケルメッキが施されています。このため、強磁性体であるニッケルの影響でヒステリシスに起因する歪が発生していました。C-10に採用された新開発ピンジャックには、ニッケルと同等もしくはそれ以上の安定度を示す非磁性体の下地メッキを施し、歪の発生を防いでいます。

アンプ内の配線には無酸素銅線を採用しています。

電源コードには二重絶縁を施した高信頼性の15A大容量電源コードを採用しています。
また、この電源コードは芯線を白と黒で色分けし、ACプラグとの接続を管理することにより、極性の統一をはかっています。

基板には140μ厚銅箔のガラスエポキシ基板を採用しています。
従来のガラスエポキシ基板では35μの銅箔を貼り付けて使用していましたが、基板内のDCR(直流抵抗)、インダクタンスの減少を図るため、従来の4倍の140μの銅箔を使用しています。

ウッドケースはアンデスローズ天然木のオイル仕上げを採用しています。

接続用のピンコードが付属しています。
この接続コードは素材に無酸素銅線を使用するとともに、ピンプラグには非磁性体下地からなる金メッキプラグを用いるなど、接続コードにおける歪の発生を極力抑えています。また、接続コードの構造は、従来の同軸構造とは異なり、信号線の互いに対向する芯線をより合わせたスターカッド方式とすることで、インダクタンスの低減を図っています。さらに、信号線を導電性高分子材料と、偏組による完全なシールドが行われています。

機種の定格
型式 ステレオパワーアンプ
実効出力(両ch駆動、20Hz~20kHz) 150W+150W(歪率0.007%、4Ω)
100W+100W(歪率0.004%、8Ω)
高調波歪率 0.003%(20Hz~20kHz、50W出力時、8Ω)
0.01%(5Hz~100kHz、50W出力時、8Ω)
混変調歪率(50Hz:7kHz=4:1) 0.005%(実効出力時)
0.003%(50W出力時、8Ω)
0.003%(1W出力時、8Ω)
出力帯域幅(IHF、両ch駆動) 5Hz~100kHz(歪率0.01%)
周波数特性(1W出力時) 1Hz~350kHz +0 -3dB
入力感度/インピーダンス Power amp imput:1V/50kΩ
出力端子 Speaker:A、B
ダンピングファクター 200以上(20Hz~20kHz、8Ω)
S/N(IHF、Aネットワーク、ショートサーキット) 120dB以上
使用半導体 IC:8個
トランジスタ:51個
ダイオード他:67個
FET:7個
ACアウトレット 電源スイッチ非連動:1系統
電源電圧 AC100V、50Hz/60Hz
定格消費電力 290W(電気用品取締法)
外形寸法 幅468x高さ206x奥行387mm
重量 24.5kg
付属 ピンプラグ付き接続コード