ONKYO Integra T-419
¥150,000(1979年発売)
解説
インテグラのFM技術陣が、そのノウハウを総結集して開発したFMステレオチューナー。
フロントエンド部は、入力段トリプル同調の高精度7連バリコンに加え、RFアンプ及びバランス型ミキサーに、リニアリティの高いデュアルゲートMOS FETを採用しています。
さらに、受信エリアの電波事情の違いを考え、入力トリプル構成のまま、WIDE(高感度)とNARROW(高い妨害波排除性能)の帯域幅2段切換のIF部を開発し、クリアな受信性能を実現しています。
IF部では、入力段にフロントエンドの受信性能を生かすD-MOS FETを使用すると共に、フラットな郡遅延特性を持つリニアフェーズフィルタと、段間ハイスルーレート・ダブルベース差動ICx8個で構成されています。
帯域幅は、S/N検出回路によって自動的にWIDE(4素子フィルタ)とNARROW(+8素子)に切り換わり、電波事情の違いに応じた、最適のオーディオ特性で受信できます。
FM搬送波をオーディオ信号へ復調する検波器に、セラソイド検波器を開発して採用しています。
その原理は、IF出力の10.7MHzFM波をミキサーで1.68MHzに下げた後、リミッターで方形波に整形。この高精度方形波によって直接コントロールされるノコギリ波の疎密を検波し、周波数と完全に反比例の電圧を持つオーディオ復調信号を取り出します。
水晶発振器によって、19kHz±2Hz以内の安定した比較周波数を得るクォーツPLL回路を開発し、19kHzパイロット信号との位相差に起因する特性劣化を極限まで低減すると共に、コンポジット信号に含まれるパイロット信号から、純粋な38kHzスイッチング信号を取り出すことに成功しています。
さらに、コンポジット信号をLRに分離するスイッチング素子として、立ち上がり+1n/secの高速D-MOS FETを採用し、スイッチング速度の遅さに伴う、立ち上がり立ち下がり部分での歪をクリアしています。
また、パイロット信号のオーディオ信号への混入を防ぐため、局の信号レベル変動にもシビアに対応して、サインウェーブによるパイロット・オートキャンセラーをMPX入力段に装備しています。
検波器以降のオーディオ部全回路を、サーボオペレーショナルDCアンプで構成しています。DCアンプをコントロールするサーボアンプには、低雑音オペアンプICを使用しています。
完璧同調を求めたクォーツロック方式。
周波数表示は、クォーツデジタルリードアウト。
タッチセンサーチューニング。
DCアクティブ・ローパスフィルタ搭載。
ブスアースラインを採用。IF・MPX独立の電源部を採用。
入力レベル検出型オートマチックノイズリダクション搭載。
2段切換FMミューティング
A・B2系統切換のF型コネクターアンテナ端子搭載。
100dBfまでリニアタイプのシグナルメーター、マルチパスメーター切換のデビエーションメーター搭載。
400Hz、50%変調のエアチェックキャリブレーター搭載。
レベル可変出力端子、録音用固定出力端子搭載。
機種の定格
型式 | スーパーサーボ・トリプルクォーツ方式FMステレオチューナー | ||||||||
<FMチューナー部> | |||||||||
受信周波数 | 76MHz~90MHz | ||||||||
実用感度(75Ω/IHF) | RF Wide:0.95μV/10.8dBf RF Narrow:1.75μV/16.1dBf |
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S/N50dB感度(75Ω/IHF) | RF Wide:1.7μV/15.8dBf | ||||||||
相互変調妨害比 (±1MHz/±2.5MHz) |
RF Wide:90dB/105dB RF Narrow:110dB/115dB |
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イメージ妨害比(83MHz) | RF Wide:120dB RF Narrow:120dB |
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IF妨害比(83MHz) | RF Wide:125dB RF Narrow:125dB |
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S/N比 | mono:90dB stereo:86dB |
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スプリアス妨害比 | RF Wide:125dB RF Narrow:125dB |
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2信号選択度 (±400kHz離調) |
IF Wide:60dB IF Narrow:90dB |
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AM抑圧比 | IF Wide:65dB IF Narrow:55dB |
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キャプチャーレシオ | IF Wide:1.0dB IF Narrow:1.5dB |
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歪率 |
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周波数特性 | 20Hz~15000Hz +0.2 -0.8dB | ||||||||
アンテナインピーダンス | 75Ω | ||||||||
ステレオセパレーション |
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キャリアリーク | -70dB | ||||||||
出力電圧/インピーダンス | 可変出力:0~1200mV/最大時80Ω 450mV/6kΩ |
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<総合> | |||||||||
使用半導体 | 53IC、116Tr(7FET)、71Di | ||||||||
電源 | AC100V、50/60Hz | ||||||||
消費電力 | 36W(電気用品取締法規格) | ||||||||
外形寸法 | 幅435x高さ108x奥行384mm | ||||||||
重量 | 9kg |