解説　

400シリーズのステレオパワーアンプ。

回路方式にはコンプリートミラードプッシュプル回路を採用しています。
一般的なアンプ回路に採用されているB級アンプでは、正負の信号を2系統に分割して増幅し、再結合して出力しています。このため正負の増幅特性が一致していないと歪みが大きくなります。一般のB級アンプではNPNトランジスタとPNPトランジスタの特性対称比で増幅バランスをとっていますが、P型半導体とN型半導体はシリコンの単結晶に3価の元素を加えるか5価の元素を加えるかで決まるため、製造法が異なり、特性的に完全に対称なものは出来ないと言えます。
この問題を解消するため、コンプリートミラードプッシュプル回路では上下及び左右が全く対称的にトランジスタの極性を配列する事で、NPNとPNPの特性差をキャンセルしています。特性的にはNF無しの裸特性で全高調波歪0.1%(1kHz、50W)、NFをかけるとナローバンドリアルタイム、スペクトラムアナライザーによる測定で、0.0008%以下を実現しています。
420の電圧増幅段には8個のトランジスタを使用していますが、実際に電圧増幅に使用しているのは2個で、残る6個は2個に最高の動作条件を与えるために使用しています。実質的にはシンプルな構成でNFに必要なゲイン100dBを得ています。

コンプリートミラードプッシュプル回路では正負増幅のリニアリティが根本的に良いため、アイドリング電流は20mAと少なく抑えられています。このため、発熱は100Vx0.02A=2Wと少なくなっています。

アンプ回路をコンパクトにまとめる事で、入力レベルや出力の変動、温度などによる変動因子に対する補償を総合的に追求しており、熱や回路干渉等を1パック化した素子単体で自己補償するICの思想を全回路系に拡大した構成となっています。
特にコンプリートミラードプッシュプル出力段は厚さ6mmのアルミヒートシンクの外表にまとめられており、基板内側の初段やドライバー段と隔絶し、干渉を防いでいます。また、各パワートランジスタの取付間隔は極めて短くなり、トランジスタ相互の温度バランスが向上し、温度変化による特性差の発生を抑えています。

左右のアンプ回路は独立した構成となっており、回路巻の相互干渉を排除しています。

電源部には22,000μFの大容量コンデンサとレギュレーションの良いトロイダル・オリエントコアの電源トランスを採用しています。
一般のシートコアトランスに比べて小型化を実現すると共に、磁性面が一方向に揃いリング状に磁界が完結するため、磁束のリーケージも少なく、回路系に対する干渉が少なくなっています。
電源部ではコンデンサのマイナス端子とシャーシを厚さ2mmの金属板で結ぶことでアース材の内部抵抗を抑え、フラックスの発生や歪特性の悪化を防いでいます。

アンプブロックは厚さ6mmのアルミ板に装着されており、さらにパワートランジスタと基板間を熱伝導率の高い特殊コーティングで絶縁しており、放熱効果を高めています。
さらに大型ヒートシンクを外部装着する事で熱が内部に溜まることなく効果的に放熱しています。

スピーカー端子にはワンタッチSP端子を採用しています。

別売りのブリッジングアダプターBA-100を使用する事でブリッジ接続による出力120Wのモノラルアンプとして使用する事ができます。
(ブリッジ接続時は入力インピーダンス8Ω以上のスピーカーを使用して下さい)

機種の定格

型式	ステレオパワーアンプ
出力	50W/50W(8Ω、両ch駆動、5Hz～20kHz、THD0.02%以下)
パワーバンド幅(IHF、両ch駆動)	5Hz～100kHz(歪率0.1%以下) 5Hz～25kHz(歪率0.01%以下) 5Hz～10kHz(歪率0.005%以下)
ダンピングファクター	100以上(1kHz、8Ω負荷)
全高調波歪率	0.002%以下(1kHz以下、RMS、50W) 0.008%以下(10kHz以下、RMS、50W)
IM歪率	0.002%以下(60Hz:7kHz=4:1、50W出力、8Ω負荷)
周波数特性	5Hz～50kHz +0 -1dB
入力インピーダンス	10kΩ
入力感度	1V
残留雑音	0.05mV以下
S/N比	110dB以上(IHF-Aネットワーク、入力ショート)
クロストーク	-70dB以上(1kHz)
使用半導体	トランジスタ:40個 ダイオード:22個
電源	AC100V/117V/220V/240V、50Hz/60Hz
消費電力	30VA(無信号時) 400VA(両ch駆動、最大出力、8Ω負荷)
外形寸法	幅400x高さ80x奥行225mm
重量	約7kg
別売	ブリッジアダプター BA-100(￥13,000)
<ブリッジ使用時(BA-100)>
出力	120W(8Ω、THD 0.01%以下)
パワーバンド幅	5Hz～100kHz(THD 0.05以下
ダンピングファクター	50以上(1kHz、8Ω)
全高調波歪率	0.003%(1kHz、RMS) 0.02%(10kHz以下、RMS)
IM歪率(60Hz:7kHz=4:1、8Ω)	0.008%
周波数特性	5Hz～50kHz +0 -2dB(RMS)
残留雑音(IHF-Aネットワーク)	100μV
S/N比(IHF-Aネットワーク、入力ショート)	110dB
別売:BA-100の仕様
基準入力電圧	1V
入力インピーダンス	10kΩ
基準出力電圧	1V
出力インピーダンス	500Ω
最大入力電圧	4V
最大出力電圧	4V
位相対称性	1度以内(5Hz～50kHz)
使用半導体	トランジスタ:16個 ダイオード:5個
電源	AC100V/117V/220V/240V、50Hz/60Hz
消費電力	3VA
外形寸法	幅190x高さ60x奥行100mm
重量	1.4kg