解説　

出力素子にIGBTを採用したステレオパワーアンプ。

IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)は、フォルテが世界で初めてパワーアンプ用として応用した半導体出力デバイスで、バイポーラトランジスタとMOS-FET双方のメリットを兼ね備えています。この素子を組み込むことにより、MOS-FETならではの高い入力インピーダンスと広帯域、バイポーラトランジスタの低出力インピーダンスと高電流供給能力を獲得しています。
このIGBTをパワーアンプに応用する事で、オーバーオールNFBを使用せずに高いリニアリティを獲得しています。

初段は定電流ソースでバイアスをかけた超ローノイズ差動FETで構成されています。また、ハイカレントでシンプルな回路構成により、ハイバイアスAB級最終出力段に先立つ全ゲイン素子をピュアクラスAオペレーションとしています。

電源部には定格の2倍のパワーを持つカスタムメイド・トロイダルトランスを搭載しています。

機種の定格

型式	ステレオパワーアンプ
定格出力(20Hz～20kHz)	100W+100W(8Ω)
入力インピーダンス	40kΩ(バランス、アンバランス)
ゲイン	28dB(1kHz)
歪率(定格出力時)	0.1%以下
周波数特性	3Hz～100kHz -3dB
残留ノイズ	300μV以下
ダンピングファクター	200
スルーレート	50V/μsec
電流供給能力	連続10A ピーク:30A
保護機構	自然空冷式 過熱時内部温度検出にて自動シャットダウン
消費電力	140W
外形寸法	幅435x高さ130x奥行245mm
重量	9.5kg