解説　

V-FETをはじめとして厳選した半導体を採用し、さらにFETバッファ電源などの技術を投入するなど、低クロストーク化とハイクォリティを追求したパワーアンプ。

DCアンプ構成を採用しており、増幅回路の時定数を形成するコンデンサが無いため、低域の位相回転がなくなり、位相歪を抑えています。
TA-N7Bでは、ソニーの半導体技術により生まれたデュアルFETでDCドリフトを抑えるなど、DCアンプの問題点である安定度の問題を解決しています。

Aクラス段である電圧増幅段では、差動増幅カスコード接続を採用しています。
カスコード接続は、出力側の帰還容量によって生じるミラー効果を抑えるため、高域周波数での伝送能力の低下を防ぐとともに、リニアリティを大きく改善しています。

Bクラス段である電力増幅段では、V-FETとバイポーラトランジスタをカスコード接続しており、優れた特性と安定度を得ています。

電源部には、オリエントコアによる高能率角型トロイダルトランスをBクラス段用に各々1個、総容量88,000μFのマルチタブ方式の電解コンデンサー、Aクラス段用に左右専用の電源トランスを採用しています。
さらに、電源に起因する音の歪を低減したFETバッファ電源回路により、低クロストーク化を実現しています。

左右対称配置の2モノアンプ構成を採用しており、付属機能も大幅に排除し、信号経路も徹底的にシールド化するなど、構造的にも電気的にも検討したコンストラクションとなっています。
これにより、測定限界値を超えたチャンネルセパレーション特性を得ています。

トリプルに保護するプロテクション回路により信頼と安全性を大幅に向上しています。

前面パネルにはダイキャストフレームを採用しており、エアーインテークを設けてあります。

機種の定格

型式	DCパワーアンプ
実効出力(20～20kHz、両ch)	100W+100W(8Ω)
出力帯域幅(IHF、8Ω)	5Hz～35kHz
高調波歪率	0.01%(実効出力時、20Hz～20kHz)
混変調歪率(実効出力時)	0.01%
周波数特性	Direct端子:DC～100kHz +0 -1dB C.Coupled端子:6Hz～100kHz +0 1dB
SN比	120dB
ダンピングファクター(1kHz、8Ω)	100
入力感度	1.3V(実効出力時、50kΩ)
消費電力	215W
外形寸法	幅430x高さ170x奥行335mm
重量	21kg