解説　

パワー至上主義のみならず、超低歪率を追求したESシリーズのパワーアンプ。

出力結合コンデンサはもとより、各段間の結合コンデンサを取り除き、特性の優れたトランジスタをペアで使用した直結方式<ダイレクト・カップリング>を採用しています。

出力電流を検知して出力トランジスタの電流を制御する保護回路を採用しています。

最大出力を1/2、または1/4に制限するパワー・リミッター・スイッチを搭載しています。

2系統の入力、2系統の出力を搭載しており、それぞれスイッチで切り替えが可能です。

入力レベル調整用ツマミを搭載しています。

異常動作時にスピーカーを保護する特殊回路を搭載しています。

機種の定格

型式	オールシリコントランジスタ・ステレオパワーアンプ
回路方式	ダイレクトカップリング方式 準コンプリメンタリ SEPP　OTL回路
出力(高調波歪率0.1%)	ダイナミックパワー(IHF定電圧供給法): 320W(8Ω) 500W(4Ω) 実効出力(1kHz、両ch): 110W+110W(8Ω) 130W+130W(4Ω) 実効出力(20Hz～20kHz、両ch):100W+100W(8Ω) (出力リミッタースイッチによりFULL、1/2、1/4に切換可能)
出力帯域幅	5Hz～35kHz(8Ω、IHF規格)
高調波歪率 (20Hz～20kHz)	0.1%以下(定格出力時) 0.03%以下(1W出力時)
混変調歪率 (60Hz:7kHz＝4:1)	0.1%以下(定格出力時) 0.03%以下(1W出力時)
周波数特性	テスト/ノーマルスイッチ(Test):5Hz～200kHz、+0 -2dB(1W出力時) テスト/ノーマルスイッチ(Normal):30Hz以下を6dB/octでローカット
入力端子	2系統、レベル調節付
入力感度/インピーダンス	1.4V/75kΩ(定格出力時)
出力端子	スピーカー端子2系統
残留雑音	0.003μW以下(8Ω)
S/N比	110dB以上(クローズドサーキット)
ダンピングファクター	170以上(8Ω、1kHz)
使用半導体	トランジスタ:35 ダイオード:38
電源	AC100V、50Hz/60Hz
電源コンセント	合計300W(連動1系統、非連動1系統)
消費電力	280W
外形寸法	幅400x高さ149x奥行323mm
重量	13.5kg
付属	ピンプラグ4個 ポリッシングクロス1枚