ONKYO Integra A-817GT
¥56,800(1981年頃)
解説
オンキョー独自の技術であるスーパーサーボ・インテグラル方式を採用したプリメインアンプ。
W・スーパーサーボ方式により、歪の原因となる成分をキャンセルしているのに加え、ステレオ音場での他チャンネルからの影響等で発生する起電力による混変調を抑えたスーパーサーボ・インテグラル方式を採用しています。
出力トランジスタの動作については、リニアスイッチング方式を採用しています。
2個のトランジスタを使用して増幅する点ではB級と同じで、問題となる動作カーブの継ぎ目のリニアリティを独特のバイアス回路によって補正して、全体としてリニアな動作特性を得ています。
さらにHigh fTパワートランジスタの採用により、スイッチング歪を無視できる範囲に追い込むことに成功しています。
MCストレートイコライザとスーパーサーボ・インテグラル方式のパワーアンプのデュアル・ダイレクトアンプのシンプルな構成とすることで、MCカートリッジの再生をより高音質化しています。
MCストレートイコライザアンプはMCカートリッジ対応をメインと考えたハイゲイン設計になっています。
さらにイコライザ、パワー共に裸特性を充分に検討し、全体のリニアリティを向上しし聴感的にも良好な低帰還回路を採用しています。
パワーアンプのゲインアップに伴い、トーンアンプを省略したダイレクトトーン方式を採用しています。
この方式では、ボリュームコントロールに関連したラウドネス回路でトーンを可変するため、音質上問題のないパッシブ素子のみで回路が構成されています。
これによりトーンコントロールを用いてもより高忠実度な再生が可能となっています。
特殊な音質改善型抵抗器を主要な回路に採用しています。
周波数特性、歪特性に対しても従来型のものよりも良く、導電体コート層は帯電荷分布の均一化や、磁気特性の面でも優れた性能を発揮しています。
回路から発生する微妙な磁気フラックスにより、聴感的に有害な高次高調波の発生を防ぐため、必要な機構材には、鉄の代わりに、銅、真鍮、アルミ等の非磁性体金属を使用しています。
微弱な入力電圧がかかるフォノ入力系のピン端子に、金メッキを施しています。
機種の定格
型式 | スーパーサーボインテグラル方式ステレオプリメインアンプ | ||||
定格出力(Aux→SP out) | 80W+80W(20Hz~20kHz、8Ω、両ch駆動) | ||||
全高調波歪率(20Hz~20kHz) | 0.008%/0.007%(AUX→SP Out、定格出力時 / 1/2出力時) 0.003%(Phono MM→Rec Out、3V) 0.015%(Phono MC→Rec Out、3V) |
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混変調歪率(Aux→SP out) | 0.008% | ||||
パワーバンドウイズス | 5Hz~100kHz(Aux→SP out) | ||||
ダンピングファクター | 100(1kHz、8Ω) | ||||
周波数特性 |
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入力感度/インピーダンス | Phono MM:2.9mV/47kΩ Phono High MC:2.9mV/100Ω Phono MC:280μV/330Ω Tuner、AUX、Tape Play:150mV/47kΩ |
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Phono最大許容入力 (1kHz/10kHz、0.05%) |
Phono MM:250mV/1200mV Phono High MC:250mV/1200mV Phono MC:23mV/110mV |
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出力電圧/インピーダンス | Tape Rec1、2:150mV/2.2kΩ | ||||
S/N比(IHF A ショート) | Phono MM:87dB Phono MC:72dB Tuner、AUX、Tape Play1、2:100dB |
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トーンコントロール (Vol -16dB) |
Bass:±8dB(70Hz) Treble:±8dB(20kHz) |
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ラウドネス | +6dB(100Hz) | ||||
サブソニックフィルター | 15Hz、6dB/oct | ||||
ミューティング | -20dB | ||||
使用半導体 | 3IC、4FET、45Tr、22Di | ||||
電源 | 100V、50/60Hz | ||||
消費電力 | 130W(電気用品取締法規格) | ||||
ACアウトレット | unswitched:1個(200W) switched:2個(計200W) |
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外形寸法 | 幅435x高さ142x奥行392mm | ||||
重量 | 11kg |