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 解説 

世界中で高い評価を獲得したプリメインアンプ。

シグナル経路にあたるコンポーネントの数を減らすよう徹底して回路設計に注意を払っています。

パワートランジスタには軍用規格に相当するものを使用しています。このパワートランジスタはサイラス・エレクトロニクスのために特別生産されたもので超高速でリニアな素子となっています。
また、ドライバー段のトランジスタには英国軍事用のセミコンダクターを供給している工場で生産されたものを使用しています。

ポリプロピレン・コンデンサーやポリスチレンコンデンサー、金属皮膜抵抗器などを含む西ドイツ製の受動素子を使用しています。

ケースはアメリカのジェネラル・エレクトリックの宇宙開発部門によって製造された非磁性、非伝導性の金属代用樹脂を使用しており、精密射出成型によって生産されています。

アンプをシンプルにするために、トーンコントロール、フィルター、ヘッドホン端子、スピーカーON/OFFスイッチ、保護回路、バランスコントロールなどの回路が排除されています。

機種の定格
型式 プリメインアンプ
<パワーアンプ部>
連続平均出力 30W+30W(8Ω、両ch駆動)
40W+40W(4Ω、両ch駆動)
電流供給 連続10Arms
ピーク40A
ダンピングファクター 100(20Hz~20kHz)
ダイナミックヘッドルーム 1.4dB
スルーレイト 10(入力フィルターバイパス)
歪率
8Ωフルパワー

4Ωフルパワー
0.0004%(1kHz)
0.01%(20kHz)
0.0005%(1kHz)
0.015%(20kHz)
<プリアンプ部>
入力感度(Ref.1W O/P) Phono MC:0.04mV
Phono MM:0.400mV
Line:65mV
入力オーバーロード(1kHz) Phono MC:27dB
Phono MM:27dB
Line:不定
最大出力レベル Tape out:11Vrms
Power amp:17Vrms
入力インピーダンス Phono MC:47kΩ+100pF
Phono MM:47kΩ+100pF
Line:14kΩ
出力インピーダンス Tape out:10Ω+2.2μF
Power amp:0.08Ω
周波数特性 Phono RIAA:20Hz~20kHz ±0.2dB
Line:1Hz~55kHz -3dB
全高調波歪率 Phono MC:0.02%
Phono MM:0.005%
Line:0.004%
混変調歪率(SMPTE IMD) Phono MC:0.02%
Phono MM:0.005%
Line:0.005%
S/N比(IHF-A、1W) Phono MC:66dB
Phono MM:82dB
Line:86dB
<その他>
外形寸法 幅215x高さ85x奥行340mm
重量 約4kg